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江西譽鴻錦資料科技有限公司
江西譽鴻錦資料科技有限公司從事第三代化合物半導體材料—氮化鎵（GaN）系列資料的開發製造和應用。 二十餘年來專注於GaN資料外延、電子器件、光電器件和器件封裝等的研發和生產，擁有堅實的理論基礎和豐富的實戰經驗，掌握氮化鎵外延、器件製備和封裝等領域的核心技術，本公司的GaN資料外延和器件的效能達到世界先進水準。 公司的主要產品有高性能肖特基二極體勢壘（SBD）、高電子遷移率電晶體（HEMT）、射頻/功率放大器（RF PA）、深紫外發光二極體（UVC-LED）等，這些產品廣泛用於新能源汽車、資料中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領域。 江西譽鴻錦資料科技有限公司將致力於實現氮化鎵電子器件和高端光電器件領域的“中國智造”！
成功案例
專利產品
20年開發經驗
研發團隊
秉承“以精立業、以質取勝”的品質方針
具有完善的售前、售中、售後的服務
團隊優勢
我們有包括諾貝爾獎得主、院士、千人等頂級專家在內的優秀的科技團隊。
研发优势
我們有包括諾貝爾獎得主、院士、千人等頂級專家在內的優秀的科技團隊。
設備優勢
日本大陽日酸株式會社製造的MOCVD設備可以生長高性能氮化鎵資料； 全套進口設備。
销售优势
有大額意向訂單，已經與國內一大型通訊設備生產商進行聯合研發。
覈心團隊
江西譽鴻錦科技團隊是一支專注於第三代化合物半導體材料—氮化鎵（GaN）系列資料的研發和生產的專家團隊。
團隊成員擁有超過20年的從業經驗，致力於GaN資料外延、電子器件、光電器件和器件封裝等領域的研發和生產。
團隊成員擁有堅實的理論基礎和豐富的實戰經驗，掌握氮化鎵外延、器件製備和封裝等領域的核心技術。
在GaN資料外延和器件的效能方面，團隊已經達到了世界先進水準。 他們致力於整個GaN資料外延、器件和封裝等器件全產業鏈的研發生產，包括外延生長、電子器件和光電器件結構外延片、電子器件和光電器件晶片流片和模組、晶片和模組的封裝等。
團隊成員不斷追求技術創新和產品升級，以滿足客戶不斷陞級的需求。 他們堅信，他們的專業知識和科技實力將為公司帶來無限的發展空間。
產線生產設備
為消費者提供優質的產品與服務、為行銷夥伴提供事業支持、為員工提供職業發展空間
設備展示-10
光刻機（晶片）
鍍膜（晶片）
ICP（晶片）
RTP&PECVD（晶片）
合作客户
值得信賴的合作夥伴，和我們的合作一定能讓您輕鬆愉快。
