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江西譽鴻錦資料科技有限公司

江西譽鴻錦資料科技有限公司從事第三代化合物半導體材料—氮化鎵（GaN）系列資料的開發製造和應用。二十餘年來專注於GaN資料外延、電子器件、光電器件和器件封裝等的研發和生產，擁有堅實的理論基礎和豐富的實戰經驗，掌握氮化鎵外延、器件製備和封裝等領域的核心技術，本公司的GaN資料外延和器件的效能達到世界先進水準。公司的主要產品有高性能肖特基二極體勢壘（SBD）、高電子遷移率電晶體（HEMT）、射頻/功率放大器（RF PA）、深紫外發光二極體（UVC-LED）等，這些產品廣泛用於新能源汽車、資料中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領域。江西譽鴻錦資料科技有限公司將致力於實現氮化鎵電子器件和高端光電器件領域的“中國智造”！

公司簡介

公司優勢

覈心團隊

榮譽資質

外延

具有先進的MOCVD外延設備，可提供：
●4”/6”/8”英寸矽基/碳化矽基/藍寶石基等氮化鎵外延片；
●650V/900V/1200V各種擊穿電壓規格外延片；
●5G/6G射頻外延片；
●耗盡型、pGaN增强型及各種定制結構外延片；
●外延片厚度2-6微米，不均勻性<土3%；.
●外延片翹曲< 30微米；
●外延片2DEG電子濃度> 8E12cm-2；
●外延片電子遷移率> 1800 cm2/V·s；

芯片

具備GAN基的器件研發及生產能力，從晶片的設計到加工已形成了完整的體系。 GaN的低損傷幹法刻科技；光學增透膜和高反射膜的膜系設計及製備技術；多層金屬膜的沉澱及側壁保護科技；光掩膜版的優化設計及光掩膜的斷面成型科技；各種鈍化膜的低損傷製備及圖形化科技；完整的藍光，高A組分的UVC一LED製作科技； GaN基探測器，雷射器等器件製作科技； GaN基的二端和三端器件的研發和微細加工技術。

封裝

領先的集成電路製造和技術服務，提供全方位的晶片成品製造一站式服務，包括設計模擬、技術開發、產品認證、晶圓中測、晶圓級中道封裝測試、系統級封裝測試、晶片成品測試。
·無機封裝·陶瓷封裝·金屬封裝
具備高集成度的晶圓級封裝（WLP）、2.5D/3D封裝、系統級封裝（SiP）、高性能倒裝晶片封裝和先進的引線鍵合科技