超聲功率放大器在MEMS超聲測試中的應用

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MEMS傳感器想要成功主要看封裝技術，包括SIP（系統級封裝）、WLP（晶圓級封裝）、三維矽穿孔（TSV）等技術，採用三維堆疊技術，能夠把微型化後的傳感器機械部件和其他微電子組件集成，依據不同的應用來選擇不同的封裝形式。

對於大部分的MEMS傳感器來說，想讓它正常使用和發揮功效，就要通過內部可動微結構在適當範圍內進行變形和位移來實現，所以對MEMS進行模態測試就要讓其振動，也就是需要進行激勵。

對於MESM模態測試的激勵方法包括磁激勵、熱激勵、靜電激勵、壓電激勵、聲激勵以及基於壓電陶瓷的底座激勵。

對於MEMS的多種激勵方法，選擇合適的激勵裝置是非常重要的。安泰超聲功率放大器最大輸出電壓10kV，最大輸出電流64Ap，最大輸出功率10kW，電壓增益數控可調，能夠滿足不同的激勵指標需求。

超聲功率放大器在MEMS超聲測試的工作原理：

高頻MEMS核心器件主要是壓電控制器件，利用其壓電效應和逆壓電效應來實現機械能和電能的轉換，通過壓電控制器件在高頻電信號激勵下產生高頻振動，從而激發出超聲波，使用壓電控制器件接收超聲波轉化成電信號，實現超聲信號的轉化。

高頻MEMS一般是激振盪式驅動，通過方波或者脈衝振動器激勵，由於高頻MEMS需要1MHz以上的電流以及30Vp-p的電壓，而信號發生器的輸出電壓較低，帶負載能力較弱，所以需要搭配超聲功率放大器來進行實驗測試。

功率放大器