肖特基二極體廠家

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江西譽鴻錦第三代半導體芯片全產業鏈項目由深圳譽鴻錦芯科技合夥企業（有限合夥）投資，主要從事高品質氮化鎵（GaN）電子材料和高端光電材料的MOCVD外延生長及器件流片、模組的研發和生產製造。該材料廣泛用於用於新能源汽車、數據中心、超算中心及5G通訊領域。項目總投資50億元，一期投入9億元，建成後將形成年產能60萬片，年產值30億人民幣規模。二期投入41億元，建成後將形成年產能300萬片，年產值100億人民幣規模，可以拉動上下游千億級產業鏈。江西譽鴻錦技術團隊成員二十餘年來專注於GaN電子器件，如射頻/功率肖特基二極管（SBD）、高電子遷移率晶體管（HEMT）的研發，擁有豐富的工藝經驗，掌握了氮化鎵外延、器件製備和封裝等領域的核心技術，達到世界先進水平。

同時，在UVC-LED和GaN藍綠激光器的研發和生產上，公司引進日本大陽日酸株式會社MOCVD 設備，由兩位諾獎得主顧問（天野浩和中村修二教授）、20餘位中科院及日本著名企業研究機構著名專家和具有30餘年材料及器件經驗的團隊提供技術支持。譽鴻錦已具備4-6英寸兼容的氮化鎵電子材料的外延生產、器件流片及芯片封測能力。江西譽鴻錦芯片科技有限公司將致力於實現氮化鎵電子器件和高端光電器件等領域的“中國智造”！

半導體芯片